本/雑誌
現代表面科学シリーズ 4
日本表面科学会/編集
3630円
| ポイント | 1% (36p) |
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| 発売日 | 2011/09/23 発売 |
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収録内容
| 1 | 第1章 欠陥制御エピタキシャル成長技術による表面物質創製(Si表面上Ge歪エピタキシャル成長によるナノアイランド形成 |
| 2 | 高規則化刃状転位ネットワーク形成による均一歪Si1-XGeX・Ge層の創製 ほか) |
| 3 | 第2章 走査型プローブ顕微鏡による表面物質創製(原子操作による表面物質創製 |
| 4 | 原子操作による導電性分子デバイス) |
| 5 | 第3章 自己組織化によるナノワイヤ、ナノドット形成(VLS法によるナノワイヤ成長 |
| 6 | シリコン基板上ナノワイヤのヘテロ構造、3次元構造 ほか) |
| 7 | 第4章 表面を利用した炭素系ナノ材料の創製(基板表面上のグラフェンの創製 |
| 8 | 表面構造を利用したカーボンナノチューブの配列制御) |
