本/雑誌
半導体デバイスの不良・故障解析技術 (信頼性技術叢書)
二川清/編著 上田修/著 山本秀和/著
3630円
| ポイント | 1% (36p) |
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| 発売日 | 2019年12月発売 |
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商品説明
本書が対象とする半導体デバイス(以下デバイス)はシリコン集積回路(LSI)、パワーデバイス、化合物半導体発光デバイスである。対象とする不具合は不良(製造工程中で不具合になったもの)と故障(使用中か信頼性試験により不具合になったもの)である。対象読者は、半導体デバイスのプロセス・デバイス技術者、信頼性技術者、故障解析技術者、試験・解析・実験担当者、その他技術者全般、大学・大学院生と幅広い層を想定。そのため、基礎から最新情報までと幅広いレベルの内容を網羅している。また、それぞれの分野のある側面を気軽に知ることができるコラムを随所に入れた。さらに、日本科学技術連盟主催の「初級信頼性技術者」資格認定試験に出るような5択問題を第2～4章の末尾に3問ずつ掲載した。
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収録内容
| 1 | 第1章 半導体デバイスの不良・故障解析技術の概要(故障解析の位置づけ |
| 2 | 不良解析の位置づけ ほか) |
| 3 | 第2章 シリコン集積回路(LSI)の故障解析技術(故障解析の手順と、この8年で新たに開発されたか普及した技術 |
| 4 | パッケージ部の故障解析 ほか) |
| 5 | 第3章 パワーデバイスの不良・故障解析技術(パワーデバイスの構造と製造プロセス |
| 6 | ウエハ製造プロセス起因のデバイス不良・故障と解析技術 ほか) |
| 7 | 第4章 化合物半導体発光デバイスの不良・故障解析技術(化合物半導体発光デバイスの動作原理と構造 |
| 8 | 化合物半導体発光デバイスの信頼性(半導体レーザの例) ほか) |
