仕様
| 商品番号 | NEOBK-2949023 |
|---|---|
| JAN/ISBN | 9784910558264 |
| メディア | 本/雑誌 |
| ページ数 | 186 |
|---|
著者・出版社・関連アーティスト
商品説明
豊富な図でわかりやすく解説。
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収録内容
| 1 | 第1章 パワーエレクトロニクスならびにパワー半導体デバイス(インバータ回路の種類 |
| 2 | パワー半導体デバイスの役割とその課題 ほか) |
| 3 | 第2章 シリコンパワー半導体デバイスの現状ならびに進展(開発スピードが一向に衰えないシリコンパワー半導体デバイス |
| 4 | シリコンMOSFET・IGBTを支える最新技術 ほか) |
| 5 | 第3章 SiCパワー半導体デバイスの進展(SiCパワー半導体デバイス優位点のおさらい |
| 6 | SiC MOSFETかSiC IGBTか ほか) |
| 7 | 第4章 SiC MOSFET破壊耐量(安全動作領域 |
| 8 | 負荷短絡耐量 ほか) |
| 9 | 第5章 SiC MOSFET実装技術(必要となる要素技術 |
| 10 | SiC MOSFETパッケージ内に取り込まれた要素技術) |
