本/雑誌
パワーエレクトロニクスの新展開 / エレクトロニクスシリーズ
大橋弘通/監修 木本恒暢/監修
71500円
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| 発売日 | 2009/09/28 発売 |
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収録内容
| 1 | 第1章 SiC(SiC-可能性とその特徴 |
| 2 | SiC単結晶基板の高品質化技術 |
| 3 | SiCエピタキシャル薄膜の多形制御技術 |
| 4 | SiCパワーMOSFETの開発 |
| 5 | Super‐SBD |
| 6 | SiC‐MOSFETの信頼性および動作時のノイズ低減 |
| 7 | 高性能4H‐SiCSBD、MOSFETの開発と高温動作SiCIPM |
| 8 | SiC接合型/静電誘導型(SiC‐JFET/SIT)トランジスタ) |
| 9 | 第2章 GaN(GaN-可能性とその特徴 |
| 10 | 窒化物半導体の特性と評価 |
| 11 | Si基板上AlGaN/GaNパワーデバイス |
| 12 | 超高耐圧AlGaN/GaNパワーデバイス |
| 13 | 薄層AlGaN構造を用いたGaNパワーデバイス) |
| 14 | 第3章 ダイヤモンド半導体(材料 |
| 15 | デバイス) |
| 16 | 第4章 応用編(次世代モーダルシフト |
| 17 | 情報通信システム用電源) |
