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収録内容
1 | 第1章 SiC(SiC-可能性とその特徴 |
2 | SiC単結晶基板の高品質化技術 |
3 | SiCエピタキシャル薄膜の多形制御技術 |
4 | SiCパワーMOSFETの開発 |
5 | Super‐SBD |
6 | SiC‐MOSFETの信頼性および動作時のノイズ低減 |
7 | 高性能4H‐SiCSBD、MOSFETの開発と高温動作SiCIPM |
8 | SiC接合型/静電誘導型(SiC‐JFET/SIT)トランジスタ) |
9 | 第2章 GaN(GaN-可能性とその特徴 |
10 | 窒化物半導体の特性と評価 |
11 | Si基板上AlGaN/GaNパワーデバイス |
12 | 超高耐圧AlGaN/GaNパワーデバイス |
13 | 薄層AlGaN構造を用いたGaNパワーデバイス) |
14 | 第3章 ダイヤモンド半導体(材料 |
15 | デバイス) |
16 | 第4章 応用編(次世代モーダルシフト |
17 | 情報通信システム用電源) |