本/雑誌
半導体デバイスシリーズ 1
権田俊一/編集 谷口研二/編集
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| 発売日 | 2009/11/28 発売 |
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商品説明
変革期を迎えるVLSI技術、半導体デバイス技術の差別化のコア技術について、第一線の研究者、技術者がまとめた半導体工学の本格的専門書シリーズ。本書はシリーズ第1巻。ナノスケールVLSIデバイス技術について、動作原理の基礎と諸問題の技術的背景、その対処法をまとめた。ナノ領域における開発現場での応用と着目点、解決すべき問題を整理。
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収録内容
| 1 | 1 序論(スケーリング則とムーアの法則 |
| 2 | 集積ナノデバイスの諸問題 ほか) |
| 3 | 2 MOSトランジスタの基礎(MOSトランジスタの構造と動作 |
| 4 | MOSトランジスタの1次近似モデル ほか) |
| 5 | 3 微細トランジスタの性能向上(極薄膜Siや3次元構造Siによる新構造トランジスタ |
| 6 | 移動度向上技術(ひずみSi、新チャネル材料)) |
| 7 | 4 微細化・集積化にともなう諸問題(スケーリングによる微細化とその課題 |
| 8 | 微細MOSFETの信頼性 ほか) |
| 9 | 5 将来展望(将来に向けての技術動向 |
| 10 | 集積ナノデバイスマップ ほか) |
