パワーMOS FETの高速スイッチング応用 実験で学ぶ高効率・低雑音スイッチング+E級アンプ (POWER)
稲葉保/著
本/雑誌

パワーMOS FETの高速スイッチング応用 実験で学ぶ高効率・低雑音スイッチング+E級アンプ (POWER)

稲葉保/著

2640円
ポイント 1% (26p)
発売日 2011/08/01 発売
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仕様

商品番号NEOBK-990177
JAN/ISBN 9784789836081
メディア 本/雑誌
販売CQ出版
ページ数 207

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商品説明

パワーMOS FETによるスイッチング技術は、電気エネルギー利用の高効率化に寄与していますが、併せて機器の小型化をも追及する高周波スイッチングへの応用では、スイッチング時の過渡的な損失をいかにして減らすかが大きな課題です。答えはソフト・スイッチング技術と呼ばれる方式ですが、本書ではその極みともいえる高効率・低雑音のE級アンプ技術を、実験と試作をとおしてやさしく解説します。

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    収録内容

    1 パワーMOS FETスイッチングのあらまし
    2 損失を低減するZCSとZVS、そしてE級アンプ
    3 損失低減の要LCR共振回路
    4 高周波出力のためのインピーダンス変換回路
    5 フェーズ・シフトPWM技術をマスタする
    6 フェーズ・シフトPWMによるZVS可変電源の設計
    7 E級ZVSアンプ設計のあらまし
    8 1MHz・5W E級ZVSアンプの設計
    9 1MHz・300W出力E級アンプの設計
    10 3.5MHz・150WプッシュプルE級アンプの設計
    11 13.56MHzE級150W/500W高周波電源の設計
    12 本書で使用しているパワーMOS FETについて
    13 高周波スイッチング/共振型スイッチング回路に使用するコア
    14 コイルやトランスに使用する巻き線について

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